FF150R12KS4HOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF150R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2
Dauer-Kollektorstrom: 225
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 1.25
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 225
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5966.63 грн |
| 5+ | 5847.11 грн |
| 10+ | 5728.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF150R12KS4HOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF150R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2, Dauer-Kollektorstrom: 225, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2, Verlustleistung Pd: 1.25, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 225, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FF150R12KS4HOSA1 за ціною від 7399.43 грн до 9963.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF150R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF150R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF150R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF150R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 225A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товар відсутній |