FF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 150A 790W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 790 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5398.4 грн |
| 10+ | 4746.11 грн |
| 30+ | 4528.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 790W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 790W, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FF150R12RT4HOSA1 за ціною від 4790.04 грн до 7907.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 790W euEccn: NLR Verlustleistung: 790W Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM |
товар відсутній |