FF23MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8160.34 грн |
| 10+ | 7522.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF23MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2 IND 1200V 50A EASY1BM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2.
Інші пропозиції FF23MR12W1M1PB11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray |
товар відсутній |
|
 |
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2 IND 1200V 50A EASY1BM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 |
товар відсутній |