FF2MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 400A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1600nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
Supplier Device Package: AG-EASY3B
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 38869.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF2MR12W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF2MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 52Pin(s), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00144ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FF2MR12W3M1HB11BPSA1 за ціною від 40689.47 грн до 53391.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF2MR12W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 52Pin(s) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00144ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 400A 58-Pin Tray |
товар відсутній |