FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24467.21 грн |
5+ | 21682.32 грн |
10+ | 20190.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 520 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 2400 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF450R12KE4HOSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
||
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
||
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 520 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
товар відсутній |
||
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товар відсутній |
||
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW |
товар відсутній |