Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF6MR12W2M1PB11BPSA1

FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Technologies


infineon-ff6mr12w2m1p_b11-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+21020.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET MODULE LOW POWER EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 20mW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції FF6MR12W2M1PB11BPSA1 за ціною від 21699.22 грн до 30832.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff6mr12w2m1p_b11-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+21699.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff6mr12w2m1p_b11-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+30832.66 грн
5+ 27351.56 грн
10+ 25461.81 грн
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff6mr12w2m1p_b11-datasheet-v02_00-en.pdf SP004134434
товар відсутній
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF6MR12W2M1P_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171541e75135f0b Description: MOSFET MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF6MR12W2M1P_B11-DataSheet-v02_00-EN-1859077.pdf IGBT Modules LOW POWER EASY
товар відсутній