на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 34046.48 грн |
| 12+ | 32483.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF900R12IE4 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A, Case: AG-PRIME2-1, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, Technology: PrimePACK™ 2, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 900A, Pulsed collector current: 1.8kA, Power dissipation: 5.1kW, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FF900R12IE4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF900R12IE4 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товар відсутній |
|
| FF900R12IE4 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Case: AG-PRIME2-1 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Technology: PrimePACK™ 2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 5.1kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| FF900R12IE4 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Case: AG-PRIME2-1 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Technology: PrimePACK™ 2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 5.1kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |