FF900R12IE4BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 33697.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF900R12IE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 900 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 5100 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF900R12IE4BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF900R12IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товар відсутній |
|
|
|
FF900R12IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товар відсутній |
|
 |
FF900R12IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товар відсутній |