FF900R12ME7B11BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF900R12ME7B11BOSA1 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A, Case: AG-ECONOD-5, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, Technology: TRENCHSTOP™, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 900A, Pulsed collector current: 1.8kA, Electrical mounting: Press-Fit; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, кількість в упаковці: 6 шт.
Інші пропозиції FF900R12ME7B11BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FF900R12ME7B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 900A |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
FF900R12ME7B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin AG-ECONOD Tray |
товар відсутній |
|
|
|
FF900R12ME7B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin AG-ECONOD Tray |
товар відсутній |
|
| FF900R12ME7B11BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Case: AG-ECONOD-5 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Technology: TRENCHSTOP™ Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Electrical mounting: Press-Fit; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 6 шт |
товар відсутній |
||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Case: AG-ECONOD-5 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Technology: TRENCHSTOP™ Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Electrical mounting: Press-Fit; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |