FFSB0465A onsemi
Виробник: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 650 V, 4 A, D2PAK
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 650 V, 4 A, D2PAK
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 186.15 грн |
10+ | 169.67 грн |
100+ | 128.85 грн |
500+ | 121.51 грн |
800+ | 96.8 грн |
2400+ | 92.8 грн |
4800+ | 88.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB0465A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.7A D2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 7.7A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB0465A за ціною від 129.18 грн до 197.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FFSB0465A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.7A D2PAK-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 7.7A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FFSB0465A | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 735 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
FFSB0465A | Виробник : ON Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||
FFSB0465A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 7.7A D2PAK-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 7.7A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
товар відсутній |