FFSB0865B onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10.1A
Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 165.44 грн |
| 1600+ | 134.36 грн |
| 2400+ | 127.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB0865B onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 10.1A, Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB0865B за ціною від 110.16 грн до 267.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSB0865B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 10.1A Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FFSB0865B | Виробник : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD GEN1.5 |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|