FFSB10120A-F085 onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 398.17 грн |
1600+ | 345.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB10120A-F085 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 21A, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FFSB10120A-F085 за ціною від 318.82 грн до 689.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FFSB10120A-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 62nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FFSB10120A-F085 | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 21A Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FFSB10120A-F085 | Виробник : onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A AUTO SIC SBD |
на замовлення 2048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FFSB10120A-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB10120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 62nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FFSB10120A-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |