FFSB1065B-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 210.43 грн |
100+ | 177.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB1065B-F085 ONSEMI
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 27A, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB1065B-F085 за ціною від 137.39 грн до 647.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FFSB1065B-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FFSB1065B-F085 | Виробник : onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SIC SBD G EN1.5 |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FFSB1065B-F085 | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FFSB1065B-F085 | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FFSB1065B-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FFSB1065B-F085 | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |