Продукція > ONSEMI > FFSB1065B-F085
FFSB1065B-F085

FFSB1065B-F085 ONSEMI


ONSM-S-A0017607524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+210.43 грн
100+ 177.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSB1065B-F085 ONSEMI

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 27A, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSB1065B-F085 за ціною від 137.39 грн до 647.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017607524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+288.97 грн
10+ 210.43 грн
100+ 177.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 Виробник : onsemi FFSB1065B_F085_D-2313386.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SIC SBD G EN1.5
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+293.6 грн
10+ 247.63 грн
100+ 179.66 грн
250+ 178.34 грн
500+ 175.04 грн
800+ 143.99 грн
2400+ 137.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 Виробник : onsemi ffsb1065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+421.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 Виробник : onsemi ffsb1065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+647.33 грн
10+ 563.43 грн
100+ 466.46 грн
FFSB1065B-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsb1065b-f085-d.pdf
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsb1065b-f085-d.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній