на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 248.9 грн |
10+ | 205.85 грн |
100+ | 144.65 грн |
250+ | 136.73 грн |
500+ | 128.8 грн |
800+ | 109.64 грн |
2400+ | 103.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB1065B onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A D2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 27A, Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB1065B за ціною від 182.71 грн до 257.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FFSB1065B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A D2PAK-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FFSB1065B | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
FFSB1065B | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||
FFSB1065B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A D2PAK-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товар відсутній |