FP25R12W1T7B11BPSA1

FP25R12W1T7B11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FP25R12W1T7_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d2ef56637 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 25A 20MW EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A (Typ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3387.01 грн
24+ 2965.31 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP25R12W1T7B11BPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 25A 20MW EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A (Typ), NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-EASY1B-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP25R12W1T7B11BPSA1 за ціною від 2460.82 грн до 4306.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FP25R12W1T7_B11_DataSheet_v00_10_DE-3162935.pdf IGBT Modules EASY STANDARD
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3531.45 грн
10+ 3277.55 грн
24+ 2610.37 грн
120+ 2579.66 грн
264+ 2506.89 грн
504+ 2460.82 грн
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fp25r12w1t7_b11-datasheet-v00_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 23-Pin Tray
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3998.47 грн
10+ 3639.91 грн
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fp25r12w1t7_b11-datasheet-v00_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 23-Pin Tray
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+4306.04 грн
10+ 3919.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fp25r12w1t7_b11-datasheet-v00_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 23-Pin Tray
товар відсутній
FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FP25R12W1T7_B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Case: AG-EASY1B-2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FP25R12W1T7_B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Case: AG-EASY1B-2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
товар відсутній