Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP25R12W2T4PB11BPSA1
FP25R12W2T4PB11BPSA1

FP25R12W2T4PB11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FP25R12W2T4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfc4875967263 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+3975.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP25R12W2T4PB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 50A 20MW, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP25R12W2T4PB11BPSA1 за ціною від 3332.06 грн до 4830.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FP25R12W2T4PB11BPSA1 FP25R12W2T4PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FP25R12W2T4P_B11_DS_v03_00_CN-3162873.pdf IGBT Modules LOW POWER EASY
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4830.62 грн
10+ 4315.55 грн
18+ 3623.14 грн
54+ 3493.62 грн
108+ 3364.77 грн
252+ 3332.06 грн
FP25R12W2T4PB11BPSA1 FP25R12W2T4PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies 204infineon-fp25r12w2t4p_b11-ds-v03_00-en.pdffileid5546d4625bd71aa00.pdf EasyPIM™ module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC/pre-applied Thermal Interface Material
товар відсутній
FP25R12W2T4PB11BPSA1 FP25R12W2T4PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies 204infineon-fp25r12w2t4p_b11-ds-v03_00-en.pdffileid5546d4625bd71aa00.pdf EasyPIM™ module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC/pre-applied Thermal Interface Material
товар відсутній
FP25R12W2T4PB11BPSA1 FP25R12W2T4PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP25R12W2T4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfc4875967263 Description: IGBT MOD 1200V 50A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
товар відсутній