FP75R07N2E4

FP75R07N2E4 Infineon Technologies


Infineon-FP75R07N2E4-DS-v03_00-EN-219432.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules IGBT Module 75A 650V
на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP75R07N2E4 Infineon Technologies

Description: FP75R07 - IGBT MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-ECONO2B, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 95 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP75R07N2E4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FP75R07N2E4 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0003209823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FP75R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V
товар відсутній