FP75R12KT4B11BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FP75R12KT4B11BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 385W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8950.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP75R12KT4B11BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FP75R12KT4B11BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 385W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FP75R12KT4B11BOSA1 за ціною від 10379.64 грн до 21185.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FP75R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 75A 385W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 385 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FP75R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FP75R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FP75R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FP75R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FP75R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товар відсутній |