FQD19N10TM ON Semiconductor
на замовлення 12492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
260+ | 45.13 грн |
314+ | 37.28 грн |
500+ | 31.9 грн |
1000+ | 25.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD19N10TM ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQD19N10TM за ціною від 22.93 грн до 48.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQD19N10TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FQD19N10TM | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 13231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||
FQD19N10TM | Виробник : FAIRCHILD | TO-252 0715+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FQD19N10TM | Виробник : FSC | 09+ DIP |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FQD19N10TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FQD19N10TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FQD19N10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; Idm: 62.4A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.8A Pulsed drain current: 62.4A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
FQD19N10TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
FQD19N10TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
FQD19N10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; Idm: 62.4A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.8A Pulsed drain current: 62.4A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |