Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQD20N06LETM
FQD20N06LETM

FQD20N06LETM Fairchild Semiconductor

FAIRS17751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 25 V
на замовлення 49818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
888+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 888
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD20N06LETM Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD20N06LETM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQD20N06LETM Виробник : FSC FAIRS17751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 04+ LP5
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06LETM FQD20N06LETM Виробник : onsemi FAIRS17751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD20N06LETM FQD20N06LETM Виробник : ON Semiconductor / Fairchild fairchild semiconductor_fqu20n06l-1191423.pdf MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level
товар відсутній