Технічний опис FQD5N15TM onsemi / Fairchild
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.72A; Idm: 17.2A; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: QFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 2.72A, Pulsed drain current: 17.2A, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 0.8Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 7nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQD5N15TM
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FQD5N15TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.72A; Idm: 17.2A; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.72A Pulsed drain current: 17.2A Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
FQD5N15TM | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK |
товар відсутній |
||
FQD5N15TM | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK |
товар відсутній |
||
FQD5N15TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.72A; Idm: 17.2A; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.72A Pulsed drain current: 17.2A Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |