Продукція > ONSEMI > FQN1N60CTA
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA onsemi


fqn1n60c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+13.31 грн
6000+ 12.17 грн
10000+ 11.3 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQN1N60CTA onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQN1N60CTA за ціною від 13.46 грн до 49.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS46432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 80002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1461+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 1461
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Виробник : onsemi fqn1n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.72 грн
10+ 32.48 грн
100+ 22.6 грн
500+ 16.56 грн
1000+ 13.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Виробник : onsemi / Fairchild FQN1N60C_D-1809836.pdf MOSFET 600V NCH MOSFET
на замовлення 17559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.85 грн
10+ 40.69 грн
100+ 25.9 грн
500+ 21.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Виробник : ON Semiconductor fqn1n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Виробник : ONSEMI fqn1n60c-d.pdf FAIRS46432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.18A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Виробник : ONSEMI fqn1n60c-d.pdf FAIRS46432-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.18A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній