на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.86 грн |
10+ | 122.84 грн |
100+ | 85.45 грн |
500+ | 70.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP16N25 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP16N25
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FQP16N25 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
FQP16N25 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||
FQP16N25 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 142W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
FQP16N25 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
FQP16N25 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 142W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |