FQP3N30 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 3.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 3.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 104.1 грн |
10+ | 85.38 грн |
100+ | 63.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP3N30 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP3N30
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FQP3N30 | Виробник : FAIRCHIL |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
FQP3N30 Код товару: 173281 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
FQP3N30 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||
FQP3N30 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
FQP3N30 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 300V N-Channel QFET |
товар відсутній |