FQP50N06 JSMicro
Код товару: 193976
Виробник: JSMicroКорпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності 73 шт:
57 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 38 грн |
10+ | 34.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FQP50N06 за ціною від 18.69 грн до 44.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP50N06 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP50N06 - MOSFET, N TO-220 TUBE 50 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FQP50N06 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
FQP50N06 | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
FQP50N06 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||
FQP50N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35.4A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 120W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||
FQP50N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
FQP50N06 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220 N-CH 60V 50A |
товар відсутній |
||||||
FQP50N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35.4A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 120W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||
FQP50N06 Код товару: 31258 |
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
З цим товаром купують
MBR20100CTG Код товару: 26154 |
Виробник: ON/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 20 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 20 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 374 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26 грн |
10+ | 23.4 грн |
Тестер напівпровідників в корпусі Код товару: 163680 |
Виробник: FNIRSI
Інструмент та обладнання > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери)
Група: Тестер напівпровідників
Опис: Тестер напівпровідників в корпусі, ESR метр. Автоматична ідентифікація радіоелектронних компонентів (резистор, конденсатор, котушка індуктивності, діод, подвійний діод, біполярний NPN, PNP транзистор, N- канальний і Р- канальний MOS FET, JFET транзистор, малопотужний тиристор, симістор.
Інструмент та обладнання > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери)
Група: Тестер напівпровідників
Опис: Тестер напівпровідників в корпусі, ESR метр. Автоматична ідентифікація радіоелектронних компонентів (резистор, конденсатор, котушка індуктивності, діод, подвійний діод, біполярний NPN, PNP транзистор, N- канальний і Р- канальний MOS FET, JFET транзистор, малопотужний тиристор, симістор.
у наявності: 33 шт
очікується:
100 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 655 грн |
1,2nF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N122J1HL2-L-Hitano) Код товару: 2900 |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 1,2 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N122J1HL-2L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 1,2 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N122J1HL-2L
у наявності: 310 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.6 грн |
100+ | 2.2 грн |
6,8nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W682K1HL2-L-Hitano) Код товару: 2896 |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 6,8 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: X7R
Точність: ±10% K
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15W682K1HL-2L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 6,8 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: X7R
Точність: ±10% K
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15W682K1HL-2L
у наявності: 1851 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.7 грн |
100+ | 2.4 грн |
1000+ | 2.1 грн |
LL4148 Код товару: 2413 |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 72692 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 1 грн |
10+ | 0.5 грн |
100+ | 0.4 грн |
1000+ | 0.3 грн |
10000+ | 0.2 грн |