FQP50N06L ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP50N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.4 A, 0.017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP50N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.4 A, 0.017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 153.53 грн |
10+ | 137.8 грн |
100+ | 111.59 грн |
500+ | 86.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP50N06L ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP50N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.4 A, 0.017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 121W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQP50N06L за ціною від 47.15 грн до 47.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP50N06L | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
FQP50N06L Код товару: 180806 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||
FQP50N06L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||
FQP50N06L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||
FQP50N06L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V Power Dissipation (Max): 121W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
FQP50N06L | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level |
товар відсутній |
||||||
FQP50N06L | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37.1A; Idm: 210A; 121W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 37.1A Pulsed drain current: 210A Power dissipation: 121W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |