Технічний опис FQP65N06 FSC
Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP65N06
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FQP65N06 Код товару: 57147 |
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 46 A Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1850/48 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||
FQP65N06 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||
FQP65N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
FQP65N06 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A |
товар відсутній |