FQP6N40CF ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP6N40CF ON Semiconductor / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP6N40CF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FQP6N40CF | Виробник : FAIRCHILD |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
FQP6N40CF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||
FQP6N40CF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.6A; Idm: 24A; 73W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 73W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
FQP6N40CF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
FQP6N40CF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.6A; Idm: 24A; 73W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 73W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |