FQU1N80TU onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.88 грн |
| 10+ | 53.2 грн |
| 100+ | 41.39 грн |
| 500+ | 32.92 грн |
| 1000+ | 26.82 грн |
| 2000+ | 25.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU1N80TU onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: I-PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQU1N80TU за ціною від 39.19 грн до 78.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQU1N80TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 800V Single |
на замовлення 5708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FQU1N80TU |
|
на замовлення 4758 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
FQU1N80TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
| FQU1N80TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
| FQU1N80TU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Gate charge: 7.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| FQU1N80TU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Gate charge: 7.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |