FR302G

FR302G TAIWAN SEMICONDUCTOR


TWSC-S-A0013443402-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - FR302G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+23.74 грн
44+ 17.23 грн
100+ 9.29 грн
500+ 7.23 грн
1000+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 32
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FR302G TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - FR302G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 150ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FR302G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FR302G FR302G Виробник : Rectron fr301g-307g.pdf Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
FR302G FR302G Виробник : EIC Semiconductor 542577903651956fr301_7g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 3A 150ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
FR302G FR302G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY FR301G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO27; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
FR302G FR302G Виробник : SMC Diode Solutions FR301G-FR307G%20N0449%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 70 V
товар відсутній
FR302G FR302G Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation FR301G SERIES_H2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
FR302G FR302G Виробник : Taiwan Semiconductor FR301G-FR307G%20N0449%20REV.A.pdf FR301G SERIES_H2105.pdf Rectifiers 150ns, 3A, 100V, Fast Recovery Rectifier
товар відсутній
FR302G FR302G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY FR301G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO27; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 150ns
товар відсутній