FS50R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 83A 335W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3831.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS50R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 83A 335W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 83 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 335 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS50R12W2T4B11BOMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FS50R12W2T4B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 83A 335W 17-Pin EASY2B-2 Tray |
товар відсутній |
|
 |
FS50R12W2T4B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EconoPIM 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC |
товар відсутній |
|
|
|
FS50R12W2T4B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 83A 335W 17-Pin EASY2B-2 Tray |
товар відсутній |