FS75R06KE3BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FS75R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7526.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS75R06KE3BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FS75R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 250W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: EconoPACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FS75R06KE3BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FS75R06KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 250000mW 28-Pin ECONO2-6 Tray |
товар відсутній |
|
 |
FS75R06KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 250W 28-Pin ECONO2-6 Tray |
товар відсутній |
|
 |
FS75R06KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 600V 75A 250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| FS75R06KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товар відсутній |