Продукція > ONSEMI > FW216A-TL-2W
FW216A-TL-2W

FW216A-TL-2W onsemi

ena0176-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 212500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1268+16 грн
Мінімальне замовлення: 1268
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FW216A-TL-2W onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 35V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції FW216A-TL-2W

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FW216A-TL-2W Виробник : ON Semiconductor ena0176-d.pdf MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SER
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FW216A-TL-2W FW216A-TL-2W Виробник : onsemi ena0176-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній