FZ400R12KS4HOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FZ400R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 510 A, 3.2 V, 2.5 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 510A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 2.5kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 510A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10624.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ400R12KS4HOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FZ400R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 510 A, 3.2 V, 2.5 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, Dauer-Kollektorstrom: 510A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V, Verlustleistung Pd: 2.5kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 510A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FZ400R12KS4HOSA1 за ціною від 13854.46 грн до 13854.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZ400R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 510A 2500mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FZ400R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 510A 2500000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
товар відсутній |
|||||
| FZ400R12KS4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 400A Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.5kW Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
|
|
FZ400R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 510A 2500mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
товар відсутній |
|||||
|
|
FZ400R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 510A 2500mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
товар відсутній |
|||||
 |
FZ400R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 510A 2500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 510 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2500 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
FZ400R12KS4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товар відсутній |
|||||
| FZ400R12KS4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 400A Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.5kW Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |