FZ900R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 900A 4300000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9764.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ900R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ900R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 900A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 4.3kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.3kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FZ900R12KE4HOSA1 за ціною від 10805.99 грн до 14442.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZ900R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 900A 4300W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 4300 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56 nF @ 25 V |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FZ900R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ900R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 900A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 4.3kW euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FZ900R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MMES Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 4.3kW кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| FZ900R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MMES Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 4.3kW |
товар відсутній |