FZT649 ON Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 15.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZT649 ON Semiconductor
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 240MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FZT649 за ціною від 13.89 грн до 46.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZT649 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT649 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT649 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 3A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT649 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT649 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation |
на замовлення 15374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT649 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 240MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT649 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FZT649 Код товару: 130252 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
FZT649 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FZT649 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 3A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |