G01N20LE

G01N20LE Goford Semiconductor


products-detail.php?ProId=502 Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.59 грн
15000+ 4.99 грн
30000+ 4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G01N20LE Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3.

Інші пропозиції G01N20LE за ціною від 7.4 грн до 28.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G01N20LE G01N20LE Виробник : Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=502 Description: N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.02 грн
14+ 20.9 грн
100+ 12.53 грн
500+ 10.89 грн
1000+ 7.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
G01N20LE G01N20LE Виробник : Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=502 Description: N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товар відсутній