G09P02L Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	8.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G09P02L Goford Semiconductor

Інші пропозиції G09P02L за ціною від 8.65 грн до 32.33 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G09P02L	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V	на замовлення 3691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 9+ 32.33 грн 12+  24.43 грн 100+  14.64 грн 500+  12.72 грн 1000+  8.65 грн Мінімальне замовлення: 9 купити