G15N06K

G15N06K Goford Semiconductor


GOFORD-G15N06K.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G15N06K Goford Semiconductor

Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX).

Інші пропозиції G15N06K за ціною від 13.94 грн до 39.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G15N06K G15N06K Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G15N06K.pdf Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G15N06K G15N06K Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G15N06K.pdf Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 30 V
на замовлення 15004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.62 грн
10+ 32.74 грн
100+ 24.47 грн
500+ 18.05 грн
1000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 8