G2305 Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.44 грн |
| 15000+ | 2.16 грн |
| 30000+ | 1.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2305 Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V, FET Feature: Standard, Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції G2305 за ціною від 2.42 грн до 28.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G2305 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
G2305 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V |
на замовлення 8940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| G2305 | Виробник : GOFORD Semiconductor |
P-CH,-20V,-4.8A,RD(max) Less Than 50mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 70mOhm at -2.5V,VTH -0.45V to -1.0V ,SOT-23 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| G2305 | Виробник : GMT |
SOT-23 07+ |
на замовлення 4180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |