Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G230P06K
G230P06K

G230P06K Goford Semiconductor

4822_SOLDING%20PROFILE.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ -30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.83 грн
15000+ 19.39 грн
30000+ 17.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G230P06K Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 60A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ -30 V.

Інші пропозиції G230P06K за ціною від 21.48 грн до 55.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G230P06K G230P06K Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G230P06K.pdf Description: P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ 30 V
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.73 грн
10+ 46.51 грн
100+ 32.18 грн
500+ 25.24 грн
1000+ 21.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
G230P06K G230P06K Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G230P06K.pdf Description: P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ 30 V
товар відсутній