Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G230P06S
G230P06S

G230P06S Goford Semiconductor

GOFORD-G230P06S.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-8A,RD(MAX)<23M@-10V,VTH-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4784 pF @ 30 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.16 грн
10+ 43.35 грн
100+ 30.01 грн
500+ 23.53 грн
1000+ 20.03 грн
2000+ 17.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G230P06S Goford Semiconductor

Description: P-60V,-8A,RD(MAX).

Інші пропозиції G230P06S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G230P06S G230P06S Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G230P06S.pdf Description: P-60V,-8A,RD(MAX)<23M@-10V,VTH-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4784 pF @ 30 V
товар відсутній