G23N06K Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 2500

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G23N06K Goford Semiconductor

Інші пропозиції G23N06K за ціною від 13.77 грн до 40.73 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G23N06K	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V	на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 8+ 40.73 грн 10+  33.3 грн 100+  23.12 грн 500+  16.94 грн 1000+  13.77 грн Мінімальне замовлення: 8 купити