G28N03D3 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G28N03D3 Goford Semiconductor

Інші пропозиції G28N03D3 за ціною від 10.7 грн до 33.14 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G28N03D3	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 15 V	на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 5000+ 10.97 грн Мінімальне замовлення: 5000 купити
	G28N03D3	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 15 V	на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 9+ 33.14 грн 11+  27.61 грн 100+  20.59 грн 500+  15.18 грн 1000+  11.73 грн 2000+  10.7 грн Мінімальне замовлення: 9 купити