G33N03D52 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	13.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G33N03D52 Goford Semiconductor

Інші пропозиції G33N03D52 за ціною від 16.21 грн до 47.54 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G33N03D52	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DFN5*6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5*6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V	на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 7+ 47.54 грн 10+  39.4 грн 100+  27.27 грн 500+  21.39 грн 1000+  18.2 грн 2000+  16.21 грн Мінімальне замовлення: 7 купити
	G33N03D52	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DFN5*6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5*6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V	товар відсутній	купити