Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G900P15D5
G900P15D5

G900P15D5 Goford Semiconductor

GOFORD-G900P15D5.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.45 грн
10+ 82.2 грн
100+ 63.94 грн
500+ 50.86 грн
1000+ 41.43 грн
2000+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G900P15D5 Goford Semiconductor

Description: P-150V,-60A,RD(MAX).

Інші пропозиції G900P15D5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G900P15D5 G900P15D5 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G900P15D5.pdf Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товар відсутній