G900P15T Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 75 V

на замовлення 67 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	100.13 грн
10+	79.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G900P15T Goford Semiconductor

Інші пропозиції G900P15T за ціною від 50.81 грн до 50.81 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G900P15T	Виробник : GOFORD Semiconductor	P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-220	на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 230+ 50.81 грн Мінімальне замовлення: 230 купити