GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1340.6 грн |
| 10+ | 1147.21 грн |
| 100+ | 1003.43 грн |
| 500+ | 803.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc.
Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 143W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GAN063-650WSAQ за ціною від 832.85 грн до 1403.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GAN063-650WSAQ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 15nC rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.5A usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GAN063-650WSAQ | Виробник : Nexperia |
MOSFET GAN063-650WSA/SOT429/TO-247 |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GAN063-650WSAQ | Виробник : NXP |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 GAN063-650WSAQ TGAN063-650WSAQ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
GAN063-650WSAQ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
GAN063-650WSAQ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
GAN063-650WSAQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode; HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 24.4A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 143W Case: SOT429; TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
GAN063-650WSAQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode; HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 24.4A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 143W Case: SOT429; TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube |
товар відсутній |