GAN3R2-100CBEAZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 245.78 грн |
| 500+ | 224.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GAN3R2-100CBEAZ NEXPERIA
Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 394W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA, Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції GAN3R2-100CBEAZ за ціною від 181.51 грн до 332.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GAN3R2-100CBEAZ | Виробник : Nexperia |
MOSFET MOS DISCRETES |
на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GAN3R2-100CBEAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 9.2nC Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GAN3R2-100CBEAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 394W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GAN3R2-100CBEAZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 60A 8-Pin WLCSP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| GAN3R2-100CBEAZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 60A 8-Pin WLCSP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| GAN3R2-100CBEAZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 394W Case: WLCSP8 Gate-source voltage: -4...6V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
GAN3R2-100CBEAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 394W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| GAN3R2-100CBEAZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 394W Case: WLCSP8 Gate-source voltage: -4...6V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |