GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3225.97 грн |
| 10+ | 2898.41 грн |
| 100+ | 2527.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-46, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції GB02SHT01-46 за ціною від 2402.07 грн до 3282.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GB02SHT01-46 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|